據(jù)外媒報道，三星電子承諾投資170億美元生產(chǎn)下一代工廠，以在日益增長的片上系統(tǒng)（SoC）市場與臺積電和英特爾競爭，未來美國將替代中國成為三星電子的主要海外芯片制造基地。三星電子在韓國總統(tǒng)文在寅訪問美國之際，加入到其他韓國企業(yè)的步伐中，向美國進(jìn)行了投資。

　　5月21日，三星電子副主席和裝置解決方案負(fù)責(zé)人Kim Ki-nam證實，將向美國投資170億美元。Ki-nam未透露新工廠的具體地址，但大多數(shù)人認(rèn)為，新廠將位于其得州奧斯汀工廠的旁邊。奧斯汀芯片廠建于1996年，生產(chǎn)升態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和其他三星電子設(shè)計的儲存芯片，但在2005年轉(zhuǎn)型為無廠半導(dǎo)體公司（fabless chipmakers）。該公司在過去24年中總共投資了170億美元。

　　一個價值170億美元的新工廠可以使這家芯片工廠成為三星在韓國之外最大的工廠，超過在中國的業(yè)務(wù)規(guī)模。三星2012年在中國西安建設(shè)了一個專業(yè)生產(chǎn)NAND閃速存儲器的工廠，下半年第二家工廠建設(shè)完工，共花費258億美元，

　　三星電子可能在美國新工廠采用5至3納米加工技術(shù)，旨在2023年開始商業(yè)生產(chǎn)，并挑戰(zhàn)臺積電在亞利桑那州350億美元的工廠，此工廠預(yù)計也將采用5至3納米加工技術(shù)。兩家公司是唯一的兩家可以從如此微小的納米水平生產(chǎn)晶圓的公司。

　　三星電子是全球最大的DRAM和NAND存儲芯片供應(yīng)商，去年分別占全球銷量總額的43%和33%。在更大的代工芯片生產(chǎn)市場上，三星電子位居第二，臺積電遙遙領(lǐng)先于該公司，覆蓋了全球逾50%的芯片訂單。

　　另一家韓國芯片巨頭SK海力士宣布，將在美國硅谷建設(shè)一個NAND芯片和人工智能技術(shù)研發(fā)中心，價值10億美元。SK海力士在美國沒有芯片工廠，但該公司正以90億美元從美國芯片制造商英特爾收購快閃記憶體業(yè)務(wù)，預(yù)計2025年完成收購。

　　5月24日，三星電子收盤價下跌0.5%至每股79,700韓元（約70.71美元），SK海力士股價下跌2.45%至每股119,500韓元。